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STP160N75F3中文资料

STP160N75F3图片

STP160N75F3外观图

  • 大小:389.1KB
  • 厂家:STMicroelectronics
  • 描述: MOSFET, N CH, 75V, 120A, TO-220; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:60A; Drain Source Voltage Vds:75V; On Resistance Rds(on):3.5mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:4V; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-220; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Id Max:120A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Pd:330W; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vds Typ:75V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V
  • 其它有关文件:STP160N75F3 View All Specifications
  • 标准包装:50
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:STripFET™
  • FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:120A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4 毫欧 @ 60A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:85nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:6750pF @ 25V
  • 功率 - 最大:330W
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-220-3
  • 供应商设备封装:TO-220AB
  • 包装:管件
  • 其它名称:497-7508-5STP160N75F3-ND

STP160N75F3供应商

更新时间:2023-01-25 13:35:32
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